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FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動薄膜厚度測繪系統，用于全自動圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測量。電動X-Y載物臺提供適用尺寸 200mm x 200mm的行程，可在 200-1700nm 光譜范圍內提供各種光學配置。
FR-Scanner-AllInOne-Mic-XY200 模塊化厚度測繪系統平臺，集成了先進的光學、電子和機械模塊，用于表征圖案化薄膜光學參數。典型案例包括（但不限于）微圖案表面、粗糙表面等。
該機型光學模塊功能強大，可測量的光斑尺寸小至幾微米。真空吸盤支持尺寸/直徑達 200 毫米的各種晶圓。電動平臺提供XY方向200 毫米的行程，在速度、精度和可重復性方面均有出色表現。
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供：
l 實時光譜反射率測量
l 薄膜厚度、光學特性、不均勻性測量、厚度測繪
l 使用集成的、USB連接的高質量彩色相機進行成像
l 測量參數的統計數據
應用：
大學，研究所，實驗室
半導體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）
MEMS器件（光刻膠、硅膜等）
LED、VCSEL、BAW、SAW濾波器
數據存儲
聚合物涂料、粘合劑等
生物醫療（聚丙烯、球囊壁厚等）
特點：
鼠標點擊即可測量（不需要預估值）
動態測量
測量包括光學常數（N&K）和色度
鼠標點擊移動和圖案測量位置對齊功能
提供離線分析軟件
軟件升級免費
規格：
| Model | UV/VIS | UV/NIR -EX | UV/NIR-HR | D UV/NIR | VIS/NIR | D VIS/NIR | NIR | NIR-N2 | ||
| Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | ||
| Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | ||
| Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm | |
| 10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | ||
| 15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | ||
| 20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | ||
| 40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | ||
| 50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | ||
| Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | ||
| Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | |||||||
| Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | ||||||
| Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | ||||||
| Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | ||||||||
| Min. incremental motion | 0.6μm | |||||||||
| Stage repeatability | ±2μm | |||||||||
| Absolute accuracy | ±3μm | |||||||||
| Material Database | > 700 different materials | |||||||||
| Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in | |||||||||
| Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | |||||||||
| Tool dimensions / Weight | 700x700x200mm / 45Kg | |||||||||
測量區域光斑（收集反射信號的區域）與物鏡和孔徑大小有關▼
| 物鏡 | Spot Size (光斑) | ||
| 放大倍率 | 500微米孔徑 | 250微米孔徑 | 100微米孔徑 |
| 5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm |
| 10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm |
| 20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm |
| 50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm |
*1規格如有變更，恕不另行通知，*2與校正過的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測量結果匹配，*3超過15天平均值的標準偏差平均值，樣品:硅晶片上1微米SiO2，*4標準偏差100次厚度測量結果，樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內每日平均值的2*標準差。樣品:硅片上1微米SiO2。
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